Technologie pamięci RAM
Wszystkie pamięci RAM podlegają standaryzacji. Ich budowa i parametry muszą odpowiadać specyfikacji jaka jest ustalona przez międzynarodową organizację JEDEC. Wszyscy producenci modułów pamięci muszą uzyskać certyfikat tej organizacji. Zapewnia to prawidłową współpracę ze wszystkimi podzespołami w komputerze.
DIP (ang. Dual In-line Package), czasami nazywany DIL - w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali integracji. Wyprowadzenia elementu umieszczone są w równej linii na dwóch dłuższych bokach prostokątnej obudowy. Obudowy typu DIP produkowane są z wersjach DIP4 (cztery wyprowadzenia), DIP8 (osiem wyprowadzeń), DIP14 (czternaście wyprowadzeń), DIP16, DIP20 i większych. Produkowane są także obudowy typu SDIP, SK-DIP i innych, które różnią się od obudów DIP wymiarami, odległością między wyprowadzeniami itp. Odległość między wyprowadzeniami to 2.54mm. Pozostałe wymiary są ustandaryzowane i różne w zależności od liczby wyprowadzeń.
SIMM (Single Inline Memory Module) jest to następna po SIPP generacja pamięci DRAM. Istotną innowacją w układzie SIMM było to, że nie posiadał od wystających elementów tzw. pinów tak jak w poprzedniej wersji DRAM, którą był SIPP, ponieważ były one umieszczone na powierzchni płytki montażowej. Inną ważną zmianą było też takie fizyczne ukształtowanie płytki pamięci SIMM, aby nie było można zainstalować jej niewłaściwie. Technicznie pomogło to wyeliminować możliwość potencjalnych uszkodzeń w trakcie montażu układu pamięci na płycie głównej.
Moduł SIMM EDORAM 72 piny - szerokość szyny danych 32 bity - w systemach Pentium (64 bity) należy je zawsze montować parami,
Synchronous Dynamie Random Access Memory. Pamięć dynamiczna (zwana czasem również DIMM), która pojawiła się w roku 1996, wyposażona w interfejs synchroniczny, dzięki któremu wewnętrzne sygnały taktujące generowane są na podstawie zegara szyny pamięci, co pozwala na przyspieszenia transmisji danych. Kilka wariantów wydajnościowych pamięci SDRAM zależnych od częstotliwość magistrali już zniknęło z rynku (dla szyny 66 MHz - PC 66, dla szyny 100 MHZ - PC 100 ). Przy magistrali o szerokości 64 bitów taktowanej z częstotliwością 66 MHz moduły SDRAM osiągały przepustowość rzędu 500 M B/s, przy 100 MHz - około 800 M B/s, a przy 133 MHz - około 1 ,06 GB/s. Jednak szybszy transfer w pamięci nie zawsze przekłada się na zwiększenie łącznej wydajności systemu, czego przyczyną są szybkie pamięci podręczne pierwszego i drugiego poziomu, przechwytujące blisko 90 procent odwołań do pamięci głównej. Komunikacja między chipsetem i pamięcią odbywa się za pośrednictwem magistrali, która działa zgodnie z częstotliwością systemową. Dzięki temu niepotrzebne stają się czasochłonne procesy uzgadniania (tzw. handshaking), konieczne w starszych typach pamięci DRAM: FPM, EDO i BEDO. Z tego względu w pamięci SDRAM prawie wcale nie występują cykle oczekiwania. SDRAM to 168-stykowe moduły typu DIMM.
RIMM (ang. Rambus Inline Memory Module) jeden z rodzajów kości pamięci komputerowej, na którym umieszczone są układy scalone z pamięcią Rambus DRAM (RDRAM). Najpopularniejsze typy RIMM to: 160-pinowe, stosowane SO-RIMM 184-pinowe, stosowane RIMM 16-bitowe 232-pinowa, stosowane RIMM 32-bitowe 326-pinowa, stosowane RIMM 64-bitowe RIMM 16-bitowe muszą być montowane na płytach głównych w parach, a RIMM 32-bitowe mogą być instalowane pojedyńczo, w każdy niewykorzystany banku pamięci musi być zainstalowana specjalna zaślepka. RIMM wyposażone są w radiator który odprowadza nadmiar ciepła.
DDR1 SDRAM ujrzała światło dzienne w 1999 roku. Jest ona modyfikacją dotychczasowej Synchronous DRAM (SDRAM). W pamięci typu DDR SDRAM dane przesyłane są w czasie trwania zarówno rosnącego jak i opadającego zbocza zegara, przez co uzyskana została dwa razy większa przepustowość niż w przypadku konwencjonalnej SDRAM typu PC-100 i PC-133. Kości zasilane są napięciem 2,5 V a nie 3,3 V co, wraz ze zmniejszeniem pojemności wewnątrz układów pamięci, powoduje znaczące ograniczenie poboru mocy. Budowane są w obudowach TSOP jak i BGA i mogą wytrzymać temperaturę do 70°C. Kości przeznaczone dla płyt głównych zawierające moduły DDR SDRAM posiadają 184 nóżki i jeden przedział (w odróżnieniu do SDRAM który ma ich 168 oraz dwa przedziały). Stosowane są dwa rodzaje oznaczeń pamięci DDR SDRAM. Mniejszy (np. PC-200) mówi o częstotliwości, z jaką działają kości. Natomiast większy (np. PC1600) mówi o teoretycznej przepustowości jaką mogą osiągnąć. Szerokość magistrali pamięci wynosi 64 bity. Przepustowość obliczana jest metodą np.: PC-200 (PC-1600) - 64 bity * 2 * 100 MHz = 1600 MB/s PC-266 (PC-2100) - 64 bity * 2 * 133 MHz = 2133 MB/s PC-333 (PC-2700) - 64 bity * 2 * 166 MHz = 2700 MB/s PC-400 (PC-3200) - 64 bity * 2 * 200 MHz = 3200 MB/s
DDR2 SDRAM - pamięci drugiej generacji. PC-533 (PC2-4200) PC-600 (PC2-4800) PC-667 (PC2-5300)